IGOT60R070D1E8220AUMA1
| Номер детали производителя | IGOT60R070D1E8220AUMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | GAN HV |
| Упаковка | PG-DSO-20-87 |
| В наличии | 6926 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6926 Infineon Technologies IGOT60R070D1E8220AUMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
| Vgs (макс.) | -10V |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-DSO-20-87 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
| Упаковка / | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
MCAC35N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 35A DFN5060Micro Commercial Co -
IGOT60R070D1AUMA3
GANFET N-CHInfineon Technologies -
IRFP27N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3Vishay Siliconix -
IXFN60N60
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227BIXYS -
TSM60N600CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO252Taiwan Semiconductor Corporation -
IGO60R070D1AUMA2
GAN HVInfineon Technologies -
RF1S45N06SM
N-CHANNEL POWER MOSFETHarris Corporation -
IGOT60R042D1AUMA2
GANFET N-CHInfineon Technologies -
IGO60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 31A 20DSOInfineon Technologies -
SI5449DC-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8Vishay Siliconix -
APTM120DA68T1G
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1Microsemi Corporation -
BUK7613-100E,118
MOSFET N-CH 100V 72A D2PAKNexperia USA Inc. -
IGO60R070D1E8220AUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
AON6332
MOSFET N-CH 30V 5X6 DFNAlpha & Omega Semiconductor Inc. -
IGOT60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 31A 20DSOInfineon Technologies -
SQJ459EP-T2_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
FQP11P06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
RSD200N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3Rohm Semiconductor -
IGO60R042D1AUMA2
GAN HVInfineon Technologies -
JANTXV2N6768T1
MOSFET N-CH 400V 14A TO254AAMicrosemi Corporation