IGO60R070D1AUMA1
| Номер детали производителя | IGO60R070D1AUMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | GANFET N-CH 600V 31A 20DSO |
| Упаковка | PG-DSO-20-85 |
| В наличии | 4865 pcs |
| Техническая спецификация | Mult Dev Label Chgs 11/Jan/2018Mult Dev EOL 28/Jun/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4865 Infineon Technologies IGO60R070D1AUMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
| Vgs (макс.) | -10V |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-DSO-20-85 |
| Серии | CoolGaN™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
| Упаковка / | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IGO60R070 |
Рекомендуемые продукты
-
IGO60R042D1AUMA2
GAN HVInfineon Technologies -
STL11N4LLF5
MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLATSTMicroelectronics -
IXTY06N120P
MOSFET N-CH 1200V 90A TO252IXYS -
FDI045N10A-F102
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAKonsemi -
IXFH32N50
MOSFET N-CH 500V 32A TO247ADIXYS -
IGOT60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 31A 20DSOInfineon Technologies -
IGO60R070D1E8220AUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGO60R070D1AUMA2
GAN HVInfineon Technologies -
FDC642P_SB4N006
MOSFET N-CH SSOT6onsemi -
IGOT60R070D1AUMA3
GANFET N-CHInfineon Technologies -
DMPH4015SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252Diodes Incorporated -
IRFR1N60ATRR
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAKVishay Siliconix -
IPA029N06NM5SXKSA1
MOSFET N-CH 60V 87A TO220Infineon Technologies -
IGOT60R070D1E8220AUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
PSMN5R0-80BS118
NOW NEXPERIA PSMN5R0-80BS - POWENexperia USA Inc. -
IGOT60R042D1AUMA2
GANFET N-CHInfineon Technologies -
2N6788U
MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCCMicrosemi Corporation -
DMN2053U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3Diodes Incorporated -
IXTP62N15P
MOSFET N-CH 150V 62A TO220ABIXYS -
STD5NM50AG
MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAKSTMicroelectronics