IGOT60R070D1AUMA1
Номер детали производителя | IGOT60R070D1AUMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | GANFET N-CH 600V 31A 20DSO |
Упаковка | PG-DSO-20-87 |
В наличии | 4766 pcs |
Техническая спецификация | Mult Dev Label Chgs 11/Jan/2018IGOT60R070D1IGOT60R070D1Mult Dev EOL 19/Jul/2021Mult Dev DS Rev 9/Nov/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4766 Infineon Technologies IGOT60R070D1AUMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.6V @ 2.6mA |
Vgs (макс.) | -10V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-DSO-20-87 |
Серии | CoolGaN™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
Упаковка / | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 380 pF @ 400 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 31A (Tc) |
Базовый номер продукта | IGOT60 |
Рекомендуемые продукты
-
IGOT60R070D1E8220AUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
SIHG065N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247ACVishay Siliconix -
FCH165N60E
MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3onsemi -
RS6P060BHTB1
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFERohm Semiconductor -
IGO60R070D1AUMA2
GAN HVInfineon Technologies -
IGOT60R070D1AUMA3
GANFET N-CHInfineon Technologies -
IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227BIXYS -
IGO60R070D1E8220AUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
TPC6110(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6Toshiba Semiconductor and Storage -
DMN13H750S-7
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23Diodes Incorporated -
SQ2364EES-T1_BE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFETVishay Siliconix -
BSC120N12LSGATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8Infineon Technologies -
AOD66920
MOSFET N-CH 100V 19.5A/70A TO252Alpha & Omega Semiconductor Inc. -
IGO60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 31A 20DSOInfineon Technologies -
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252Vishay Siliconix -
IGO60R042D1AUMA2
GAN HVInfineon Technologies -
IGOT60R042D1AUMA2
GANFET N-CHInfineon Technologies -
MMFTN123
MOSFET, SOT-23, 100V, 0.17A, N,Diotec Semiconductor -
FDS9412
MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOICFairchild Semiconductor -
SQA407CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)Vishay Siliconix