IGOT60R042D1AUMA2
| Номер детали производителя | IGOT60R042D1AUMA2 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | GANFET N-CH |
| Упаковка | PG-DSO-20-87 |
| В наличии | 5086 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5086 Infineon Technologies IGOT60R042D1AUMA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | - |
| Vgs (макс.) | - |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-DSO-20-87 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Рассеиваемая мощность (макс) | - |
| Упаковка / | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) |
| Рабочая Температура | - |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | - |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | - |
Рекомендуемые продукты
-
IGO60R070D1E8220AUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223Infineon Technologies -
IGOT60R070D1AUMA3
GANFET N-CHInfineon Technologies -
DI010N03PW-AQ
MOSFET, POWERQFN 2X2, 30V, 10A,Diotec Semiconductor -
IGOT60R070D1E8220AUMA1
GAN HVInfineon Technologies -
IGOT60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 31A 20DSOInfineon Technologies -
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIEEPC -
DMN6066SSS-13
MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SODiodes Incorporated -
FQU13N06LTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Fairchild Semiconductor -
DMP10H4D2S-7-50
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&RDiodes Incorporated -
TP2535N3-G
MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3Microchip Technology -
BSC054N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSONInfineon Technologies -
IGO60R070D1AUMA2
GAN HVInfineon Technologies -
FDMS8350LET40
FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERTFairchild Semiconductor -
IPD033N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3Infineon Technologies -
IGO60R042D1AUMA2
GAN HVInfineon Technologies -
NTMFS5C430NT1G
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFNonsemi -
YJL3407AQ
SOT-23 P -30V -4.1A TransistorsYangjie Technology -
IGO60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 31A 20DSOInfineon Technologies -
SI4840BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOVishay Siliconix