Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSC900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC900N20NS3GATMA1

Номер детали производителя BSC900N20NS3GATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Упаковка PG-TDSON-8-5
В наличии 100373 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.849 $0.761 $0.612 $0.502 $0.416 $0.388
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 100373 Infineon Technologies BSC900N20NS3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 30µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-5
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 7.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 62.5W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 920 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11.6 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15.2A (Tc)
Базовый номер продукта BSC900

Рекомендуемые продукты

BSC900N20NS3GATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация