Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > NJVMJD32CT4G-VF01
NJVMJD32CT4G-VF01 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NJVMJD32CT4G-VF01

Номер детали производителя NJVMJD32CT4G-VF01
производитель onsemi
Подробное описание TRANS PNP 100V 3A DPAK
Упаковка DPAK
В наличии 6228 pcs
Техническая спецификация Mult Dev EOL 01/Oct/2021onsemi REACHonsemi RoHSMJD31 (NPN), MJD32 (PNP)NSV1C30 Site Update 24/May/2017
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 6228 onsemi NJVMJD32CT4G-VF01 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 100 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Тип транзистор PNP
Поставщик Упаковка устройства DPAK
Серии -
Мощность - Макс 1.56 W
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 3MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 20µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 3 A
Базовый номер продукта NJVMJD32

Рекомендуемые продукты

NJVMJD32CT4G-VF01 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NJVMJD32CT4G-VF01

Связанные детали для NJVMJD32CT4G-VF01