Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > NJVMJD112G
NJVMJD112G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NJVMJD112G

Номер детали производителя NJVMJD112G
производитель onsemi
Подробное описание TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Упаковка DPAK
В наличии 359906 pcs
Техническая спецификация onsemi RoHSMJD112,117NJVN/NJVM/SJD 10/Jul/2017
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.302 $0.267 $0.205 $0.162 $0.13 $0.117 $0.109 $0.105
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 359906 onsemi NJVMJD112G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 100 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Тип транзистор NPN - Darlington
Поставщик Упаковка устройства DPAK
Серии -
Мощность - Макс 1.75 W
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 25MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 20µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 2 A
Базовый номер продукта NJVMJD112

Рекомендуемые продукты

NJVMJD112G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NJVMJD112G

Связанные детали для NJVMJD112G