Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > NJVMJD112T4G
NJVMJD112T4G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NJVMJD112T4G

Номер детали производителя NJVMJD112T4G
производитель onsemi
Подробное описание TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Упаковка DPAK
В наличии 287598 pcs
Техническая спецификация onsemi REACHonsemi RoHSMJD112,117NJVN/NJVM/SJD 10/Jul/2017
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.29 $0.255 $0.196 $0.155 $0.124
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 287598 onsemi NJVMJD112T4G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 100 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Тип транзистор NPN - Darlington
Поставщик Упаковка устройства DPAK
Серии -
Мощность - Макс 20 W
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 25MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 20µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 2 A
Базовый номер продукта NJVMJD112

Рекомендуемые продукты

NJVMJD112T4G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NJVMJD112T4G

Связанные детали для NJVMJD112T4G