Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > NJVMJD210T4G
NJVMJD210T4G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

NJVMJD210T4G

Номер детали производителя NJVMJD210T4G
производитель onsemi
Подробное описание TRANS PNP 25V 5A DPAK
Упаковка DPAK
В наличии 331423 pcs
Техническая спецификация onsemi REACHonsemi RoHSMJD200, MJD210Mold Compound 16/Aug/2018
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.313 $0.277 $0.212 $0.167 $0.134
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии onsemi.У нас есть кусочки 331423 onsemi NJVMJD210T4G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 25 V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A
Тип транзистор PNP
Поставщик Упаковка устройства DPAK
Серии -
Мощность - Макс 1.4 W
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 65MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A, 1V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 5 A
Базовый номер продукта NJVMJD210

Рекомендуемые продукты

NJVMJD210T4G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для NJVMJD210T4G

Связанные детали для NJVMJD210T4G