Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SQJ962EP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SQJ962EP-T1-GE3

Номер детали производителя SQJ962EP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Упаковка PowerPAK® SO-8 Dual
В наличии 6790 pcs
Техническая спецификация SQJ962EP-T1-GE3SIL-053-2014-Rev-1 22/Sep/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6790 Vishay Siliconix SQJ962EP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8 Dual
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.3A, 10V
Мощность - Макс 25W
Упаковка / PowerPAK® SO-8 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 475pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SQJ962

Рекомендуемые продукты

SQJ962EP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация