Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SQJ912AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ912AEP-T1_GE3

Номер детали производителя SQJ912AEP-T1_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Упаковка PowerPAK® SO-8 Dual
В наличии 5717 pcs
Техническая спецификация New Ordering Code 19/Mar/2015SQJ912AEPMult Devs 18/Jun/2021
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5717 Vishay Siliconix SQJ912AEP-T1_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8 Dual
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 9.7A, 10V
Мощность - Макс 48W
Упаковка / PowerPAK® SO-8 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1835pF @ 20V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SQJ912

Рекомендуемые продукты

SQJ912AEP-T1_GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация