Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SQJ992EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ992EP-T1_GE3

Номер детали производителя SQJ992EP-T1_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
Упаковка PowerPAK® SO-8 Dual
В наличии 194615 pcs
Техническая спецификация New Ordering Code 19/Mar/2015SQJ992EP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.494 $0.442 $0.345 $0.285 $0.225
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 194615 Vishay Siliconix SQJ992EP-T1_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8 Dual
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Мощность - Макс 34W
Упаковка / PowerPAK® SO-8 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 446pF @ 30V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SQJ992

Рекомендуемые продукты

SQJ992EP-T1_GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация