Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SQJ570EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ570EP-T1_GE3

Номер детали производителя SQJ570EP-T1_GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
Упаковка PowerPAK® SO-8 Dual
В наличии 168956 pcs
Техническая спецификация SQJ570EP
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.485 $0.433 $0.338 $0.279 $0.22
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 168956 Vishay Siliconix SQJ570EP-T1_GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8 Dual
Серии Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Мощность - Макс 27W
Упаковка / PowerPAK® SO-8 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 15A (Tc), 9.5A (Tc)
конфигурация N and P-Channel
Базовый номер продукта SQJ570

Рекомендуемые продукты

SQJ570EP-T1_GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация