SISS588DN-T1-GE3
| Номер детали производителя | SISS588DN-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE |
| Упаковка | PowerPAK® 1212-8S |
| В наличии | 149418 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.497 | $0.443 | $0.346 | $0.285 | $0.225 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 149418 Vishay Siliconix SISS588DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8S |
| Серии | TrenchFET® Gen V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® 1212-8S |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1380 pF @ 40 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 28.5 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 16.9A (Ta), 58.1A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
SISS71DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8SVishay Siliconix -
SISS5710DN-T1-GE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SISS5808DN-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISS65DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAKVishay Siliconix -
SISS61DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAKVishay Siliconix -
SISS64DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8SVishay Siliconix -
SISS52DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAKVishay Siliconix -
SISS5112DN-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SISS50DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAKVishay Siliconix -
SISS5110DN-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SISS60DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAKVishay Siliconix -
SISS54DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISS70DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAKVishay Siliconix -
SISS72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAKVishay Siliconix -
SISS5108DN-T1-GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAKVishay Siliconix -
SISS5623DN-T1-GE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISS66DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAKVishay Siliconix -
SISS67DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8SVishay Siliconix -
SISS5708DN-T1-GE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix