Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SISS5623DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS5623DN-T1-GE3

Номер детали производителя SISS5623DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Упаковка PowerPAK® 1212-8S
В наличии 107449 pcs
Техническая спецификация SISS5623DN
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.717 $0.645 $0.518 $0.426 $0.353
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 107449 Vishay Siliconix SISS5623DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8S
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8S
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1575 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
Базовый номер продукта SISS5623

Рекомендуемые продукты

SISS5623DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация