SISS50DN-T1-GE3
Номер детали производителя | SISS50DN-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay Siliconix |
Подробное описание | MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK |
Упаковка | PowerPAK® 1212-8S |
В наличии | 264771 pcs |
Техническая спецификация | Mult Dev Wafer Chg 1/Jul/2021SiSS50DN |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.316 | $0.282 | $0.22 | $0.182 | $0.143 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 264771 Vishay Siliconix SISS50DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Vgs (макс.) | +20V, -16V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8S |
Серии | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.83mOhm @ 15A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
Упаковка / | PowerPAK® 1212-8S |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4000 pF @ 20 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 45 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 29.7A (Ta), 108A (Tc) |
Базовый номер продукта | SISS50 |
Рекомендуемые продукты
-
SISS5108DN-T1-GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SISS32ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAKVishay Siliconix -
SISS42DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAKVishay Siliconix -
SISS30DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAKVishay Siliconix -
SISS52DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAKVishay Siliconix -
SISS5623DN-T1-GE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISS32DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAKVishay Siliconix -
SISS5112DN-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SISS42LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAKVishay Siliconix -
SISS40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAKVishay Siliconix -
SISS588DN-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISS5808DN-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISS54DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISS5110DN-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SISS5710DN-T1-GE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SISS4402DN-T1-GE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISS46DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAKVishay Siliconix -
SISS5708DN-T1-GE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWVishay Siliconix -
SISS30LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAKVishay Siliconix -
SISS32LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAKVishay Siliconix