SIS128LDN-T1-GE3

Номер детали производителя	SIS128LDN-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Упаковка	PowerPAK® 1212-8
В наличии	235463 pcs
Техническая спецификация	New Solder Plating Site 18/Apr/2023 Mult Dev 08/Dec/2022 SIS128LDN Datasheet

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.394	$0.347	$0.266	$0.211	$0.169

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 235463 Vishay Siliconix SIS128LDN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PowerPAK® 1212-8
Серии	TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.6mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	3.6W (Ta), 39W (Tc)
Упаковка /	PowerPAK® 1212-8
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1250 pF @ 40 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Базовый номер продукта	SIS128