SIS112LDN-T1-GE3

Номер детали производителя	SIS112LDN-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Упаковка	PowerPAK® 1212-8
В наличии	325327 pcs
Техническая спецификация	SiS112LDN

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.247	$0.216	$0.165	$0.131	$0.104

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 325327 Vishay Siliconix SIS112LDN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PowerPAK® 1212-8
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	119mOhm @ 3.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Упаковка /	PowerPAK® 1212-8
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	355 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	11.8 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	3.5A (Ta), 8.8A (Tc)