SIS110DN-T1-GE3

Номер детали производителя	SIS110DN-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Упаковка	PowerPAK® 1212-8
В наличии	399315 pcs
Техническая спецификация	New Solder Plating Site 18/Apr/2023 SIS110DN

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.256	$0.226	$0.173	$0.137	$0.11

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 399315 Vishay Siliconix SIS110DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PowerPAK® 1212-8
Серии	TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54mOhm @ 4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	3.2W (Ta), 24W (Tc)
Упаковка /	PowerPAK® 1212-8
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	550 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Базовый номер продукта	SIS110