Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SIB914DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB914DK-T1-GE3

Номер детали производителя SIB914DK-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Упаковка PowerPAK® SC-75-6L Dual
В наличии 3975 pcs
Техническая спецификация Mosfet EOL 24/Jun/2015SIB914DK
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 3975 Vishay Siliconix SIB914DK-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SC-75-6L Dual
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 113mOhm @ 2.5A, 4.5V
Мощность - Макс 3.1W
Упаковка / PowerPAK® SC-75-6L Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 125pF @ 4V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 2.6nC @ 5V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 8V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.5A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SIB914

Рекомендуемые продукты

SIB914DK-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация