Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIB4317EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB4317EDK-T1-GE3

Номер детали производителя SIB4317EDK-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Упаковка PowerPAK® SC-75-6
В наличии 667512 pcs
Техническая спецификация P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.175 $0.15 $0.112 $0.088 $0.068
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 667512 Vishay Siliconix SIB4317EDK-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SC-75-6
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SC-75-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 600 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.3A (Ta), 4.5A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SIB4317EDK-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIB4317EDK-T1-GE3

Связанные детали для SIB4317EDK-T1-GE3