Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIB452DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB452DK-T1-GE3

Номер детали производителя SIB452DK-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Упаковка PowerPAK® SC-75-6
В наличии 267686 pcs
Техническая спецификация SIB452DK
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.294 $0.257 $0.197 $0.156 $0.125
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 267686 Vishay Siliconix SIB452DK-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SC-75-6
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® SC-75-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 135 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 190 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.5A (Tc)
Базовый номер продукта SIB452

Рекомендуемые продукты

SIB452DK-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIB452DK-T1-GE3

Связанные детали для SIB452DK-T1-GE3