Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI7116BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7116BDN-T1-GE3

Номер детали производителя SI7116BDN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK
Упаковка PowerPAK® 1212-8
В наличии 164468 pcs
Техническая спецификация N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.476 $0.424 $0.331 $0.273 $0.216
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 164468 Vishay Siliconix SI7116BDN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 16A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1915 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 48 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18.4A (Ta), 65A (Tc)
Базовый номер продукта SI7116

Рекомендуемые продукты

SI7116BDN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI7116BDN-T1-GE3

Связанные детали для SI7116BDN-T1-GE3