SI7101DN-T1-GE3
Номер детали производителя | SI7101DN-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay Siliconix |
Подробное описание | MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 |
Упаковка | PowerPAK® 1212-8 |
В наличии | 157997 pcs |
Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 08/Dec/2022SI7101DN |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.47 | $0.42 | $0.327 | $0.27 | $0.213 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 157997 Vishay Siliconix SI7101DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±25V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8 |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 15A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Упаковка / | PowerPAK® 1212-8 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3595 pF @ 15 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 102 nC @ 10 V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 35A (Tc) |
Базовый номер продукта | SI7101 |
Рекомендуемые продукты
-
SI7060-B-00-IVR
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs -
SI7060-B-03-IV
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs -
SI7108DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7107DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7108DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7060-B-03-IVR
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs -
SI7104DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SI7100DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SI7106DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7106DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7102DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7107DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9.8A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7060-B-01-IVR
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs -
SI7104DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SI7102DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SI7100DN-T1-E3
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SI7060-B-02-IV
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs -
SI7060-B-02-IVR
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs -
SI7060-EVB
SI7060 EVALUATION BOARDSilicon Labs -
SI7060-B-01-IV
+/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORSSilicon Labs