Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI7112DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7112DN-T1-E3

Номер детали производителя SI7112DN-T1-E3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Упаковка PowerPAK® 1212-8
В наличии 133557 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 08/Dec/2022Si7112DN
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.649 $0.583 $0.468 $0.385 $0.319
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 133557 Vishay Siliconix SI7112DN-T1-E3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.5W (Ta)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2610 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11.3A (Tc)
Базовый номер продукта SI7112

Рекомендуемые продукты

SI7112DN-T1-E3 DataSheet PDF

Техническая спецификация