Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI6913DQ-T1-BE3
Vishay Siliconix

SI6913DQ-T1-BE3

Номер детали производителя SI6913DQ-T1-BE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание DUAL P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Упаковка 8-TSSOP
В наличии 103596 pcs
Техническая спецификация SI6913DQ
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.789 $0.708 $0.569 $0.467 $0.387
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 103596 Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-BE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 900mV @ 400µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-TSSOP
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Мощность - Макс 830mW (Ta)
Упаковка / 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds -
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 28nC @ 4.5V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.9A (Ta)
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SI6913

Рекомендуемые продукты

SI6913DQ-T1-BE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация