Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI6562CDQ-T1-GE3

Номер детали производителя	SI6562CDQ-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
Упаковка	8-TSSOP
В наличии	186969 pcs
Техническая спецификация	Material Compliance Epoxy Materials 07/Jan/2022 SI6562CDQ

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.411	$0.369	$0.287	$0.237	$0.187

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 186969 Vishay Siliconix SI6562CDQ-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-TSSOP
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Мощность - Макс	1.6W, 1.7W
Упаковка /	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	850pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	23nC @ 10V
FET Характеристика	Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	6.7A, 6.1A
конфигурация	N and P-Channel
Базовый номер продукта	SI6562