Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI6463BDQ-T1-GE3
SI6463BDQ-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI6463BDQ-T1-GE3

Номер детали производителя SI6463BDQ-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Упаковка 8-TSSOP
В наличии 5057 pcs
Техническая спецификация Material ComplianceObs 29/Dec/2015
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5057 Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-TSSOP
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 7.4A, 4.5V
Упаковка / 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Упаковка Cut Tape (CT)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 60 nC @ 5 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6.2A (Ta)
Базовый номер продукта SI6463

Рекомендуемые продукты

SI6463BDQ-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI6463BDQ-T1-GE3

Связанные детали для SI6463BDQ-T1-GE3