Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI3911DV-T1-E3
SI3911DV-T1-E3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI3911DV-T1-E3

Номер детали производителя SI3911DV-T1-E3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Упаковка 6-TSOP
В наличии 4664 pcs
Техническая спецификация SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014SI3911DV
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4664 Vishay Siliconix SI3911DV-T1-E3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 6-TSOP
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Мощность - Макс 830mW
Упаковка / SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Упаковка Cut Tape (CT)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds -
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.8A
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SI3911

Рекомендуемые продукты

SI3911DV-T1-E3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI3911DV-T1-E3

Связанные детали для SI3911DV-T1-E3