Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI3867DV-T1-GE3
SI3867DV-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI3867DV-T1-GE3

Номер детали производителя SI3867DV-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Упаковка 6-TSOP
В наличии 5214 pcs
Техническая спецификация PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5214 Vishay Siliconix SI3867DV-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 6-TSOP
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 5.1A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.1W (Ta)
Упаковка / SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.9A (Ta)
Базовый номер продукта SI3867

Рекомендуемые продукты

SI3867DV-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI3867DV-T1-GE3

Связанные детали для SI3867DV-T1-GE3