Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI3900DV-T1-GE3
SI3900DV-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI3900DV-T1-GE3

Номер детали производителя SI3900DV-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Упаковка 6-TSOP
В наличии 259732 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.356 $0.318 $0.248 $0.205 $0.162
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 259732 Vishay Siliconix SI3900DV-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 6-TSOP
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Мощность - Макс 830mW
Упаковка / SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds -
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 4nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SI3900

Рекомендуемые продукты

SI3900DV-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI3900DV-T1-GE3

Связанные детали для SI3900DV-T1-GE3