Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFD210
IRFD210 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IRFD210

Номер детали производителя IRFD210
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Упаковка 4-HVMDIP
В наличии 4938 pcs
Техническая спецификация IRFD210
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4938 Vishay Siliconix IRFD210 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 4-HVMDIP
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1W (Ta)
Упаковка / 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 140 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 600mA (Ta)
Базовый номер продукта IRFD210

Рекомендуемые продукты

IRFD210 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFD210

Связанные детали для IRFD210