Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFD112

IRFD112

Номер детали производителя IRFD112
производитель Harris Corporation
Подробное описание SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Упаковка 4-DIP, Hexdip
В наличии 250529 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
807
$0.14
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 250529 Harris Corporation IRFD112 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 4-DIP, Hexdip
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 800mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1W (Tc)
Упаковка / 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 135 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 7 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 800mA (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFD112 DataSheet PDF