Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFD123

IRFD123

Номер детали производителя IRFD123
производитель Harris Corporation
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Упаковка 4-HVMDIP
В наличии 128025 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
346
$0.345
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Harris Corporation.У нас есть кусочки 128025 Harris Corporation IRFD123 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 4-HVMDIP
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 780mA, 10V
Упаковка / 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 360 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.3A (Ta)

Рекомендуемые продукты

IRFD123 DataSheet PDF