Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK9P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK9P65W,RQ

Номер детали производителя TK9P65W,RQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Упаковка DPAK
В наличии 111096 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
2000 6000 10000
$0.348 $0.335 $0.326
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 111096 Toshiba Semiconductor and Storage TK9P65W,RQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DPAK
Серии DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560mOhm @ 4.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 80W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 700 pF @ 300 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9.3A (Ta)
Базовый номер продукта TK9P65

Рекомендуемые продукты

TK9P65W,RQ DataSheet PDF