Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK9A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK9A55DA(STA4,Q,M)

Номер детали производителя TK9A55DA(STA4,Q,M)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 550V 8.5A TO220SIS
Упаковка TO-220SIS
В наличии 107122 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.746 $0.67 $0.538 $0.442 $0.366 $0.341 $0.328 $0.32
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 107122 Toshiba Semiconductor and Storage TK9A55DA(STA4,Q,M) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220SIS
Серии π-MOSVII
Rds On (Max) @ Id, Vgs 860mOhm @ 4.3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 40W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1050 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 550 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8.5A (Ta)
Базовый номер продукта TK9A55

Рекомендуемые продукты

TK9A55DA(STA4,Q,M) DataSheet PDF