Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK90S06N1L,LQ
TK90S06N1L,LQ Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

TK90S06N1L,LQ

Номер детали производителя TK90S06N1L,LQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Упаковка DPAK+
В наличии 89009 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.866 $0.779 $0.626 $0.515 $0.426
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 89009 Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L,LQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DPAK+
Серии U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 45A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 157W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5400 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 90A (Ta)
Базовый номер продукта TK90S06

Рекомендуемые продукты

TK90S06N1L,LQ DataSheet PDF

Ключевые слова для TK90S06N1L,LQ

Связанные детали для TK90S06N1L,LQ