Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK2R4E08QM,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK2R4E08QM,S1X

Номер детали производителя TK2R4E08QM,S1X
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Упаковка TO-220
В наличии 72464 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.169 $1.051 $0.861 $0.733 $0.618 $0.587 $0.565
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 72464 Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4E08QM,S1X в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 2.2mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220
Серии U-MOSX-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.44mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 300W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 175°C
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 13000 pF @ 40 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 178 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Tc)

Рекомендуемые продукты

TK2R4E08QM,S1X DataSheet PDF