Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK2A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK2A65D(STA4,Q,M)

Номер детали производителя TK2A65D(STA4,Q,M)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
Упаковка TO-220SIS
В наличии 237074 pcs
Техническая спецификация Mosfets Prod Guide
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.52 $0.465 $0.363 $0.3 $0.237 $0.221 $0.21 $0.202
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 237074 Toshiba Semiconductor and Storage TK2A65D(STA4,Q,M) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220SIS
Серии π-MOSVII
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.26Ohm @ 1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 30W (Tc)
Упаковка / TO-220-3 Full Pack
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 380 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 9 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2A (Ta)
Базовый номер продукта TK2A65

Рекомендуемые продукты

TK2A65D(STA4,Q,M) DataSheet PDF

Техническая спецификация

Loading...