Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK2P90E,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK2P90E,RQ

Номер детали производителя TK2P90E,RQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Упаковка DPAK
В наличии 224154 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.439 $0.392 $0.306 $0.252 $0.199
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 224154 Toshiba Semiconductor and Storage TK2P90E,RQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DPAK
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9Ohm @ 1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 80W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 500 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 900 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2A (Ta)

Рекомендуемые продукты

TK2P90E,RQ DataSheet PDF