Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

HN3C51F-BL(TE85L,F

Номер детали производителя	HN3C51F-BL(TE85L,F
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Упаковка	SM6
В наличии	5472 pcs
Техническая спецификация	HN3C51F EOL_X34_Oct_2014 Oct/2014

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 5472 Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-BL(TE85L,F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	120V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Тип транзистор	2 NPN (Dual)
Поставщик Упаковка устройства	SM6
Серии	-
Мощность - Макс	300mW
Упаковка /	SC-74, SOT-457
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Частота - Переход	100MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	350 @ 2mA, 6V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Базовый номер продукта	HN3C51