Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > HN3A51F(TE85L,F)
HN3A51F(TE85L,F) Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

HN3A51F(TE85L,F)

Номер детали производителя HN3A51F(TE85L,F)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
Упаковка SM6
В наличии 4591 pcs
Техническая спецификация EOL_X34_Oct_2014 Oct/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 4591 Toshiba Semiconductor and Storage HN3A51F(TE85L,F) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 120V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Тип транзистор 2 PNP (Dual)
Поставщик Упаковка устройства SM6
Серии -
Мощность - Макс 300mW
Упаковка / SC-74, SOT-457
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 100MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта HN3A51

Рекомендуемые продукты

HN3A51F(TE85L,F) DataSheet PDF

Техническая спецификация