Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

HN3C10FUTE85LF

Номер детали производителя	HN3C10FUTE85LF
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Упаковка	US6
В наличии	304012 pcs
Техническая спецификация

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100
$0.197	$0.169	$0.126

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 304012 Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	12V
Тип транзистор	2 NPN (Dual)
Поставщик Упаковка устройства	US6
Серии	-
Мощность - Макс	200mW
Упаковка /	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-

Свойства продукта	Значение атрибута
Коэффициент шума (дБ Typ @ F)	1.1dB @ 1GHz
Тип установки	Surface Mount
Усиление	11.5dB
Частота - Переход	7GHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 20mA, 10V
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	80mA
Базовый номер продукта	HN3C10