Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STI100N10F7
STI100N10F7 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STI100N10F7

Номер детали производителя STI100N10F7
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
Упаковка I2PAK (TO-262)
В наличии 6427 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 6427 STMicroelectronics STI100N10F7 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I2PAK (TO-262)
Серии STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 150W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
Базовый номер продукта STI100

Рекомендуемые продукты

STI100N10F7 DataSheet PDF

Ключевые слова для STI100N10F7

Связанные детали для STI100N10F7