Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STB60N55F3
STB60N55F3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB60N55F3

Номер детали производителя STB60N55F3
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Упаковка D2PAK
В наличии 5299 pcs
Техническая спецификация STx60N55F3Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 5299 STMicroelectronics STB60N55F3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии STripFET™ III
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 32A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 110W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2200 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 55 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
Базовый номер продукта STB60N

Рекомендуемые продукты

STB60N55F3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STB60N55F3

Связанные детали для STB60N55F3