Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STB4N62K3
STB4N62K3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB4N62K3

Номер детали производителя STB4N62K3
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
Упаковка D2PAK
В наличии 99455 pcs
Техническая спецификация ST(B,D)4N62K3D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013Multiple Devices 01/Aug/2014IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$0.597 $0.507 $0.425 $0.375
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 99455 STMicroelectronics STB4N62K3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 70W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 450 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 620 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.8A (Tc)
Базовый номер продукта STB4N

Рекомендуемые продукты

STB4N62K3 DataSheet PDF

Техническая спецификация