STB50N65DM6

Номер детали производителя	STB50N65DM6
производитель	STMicroelectronics
Подробное описание	MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Упаковка	D²PAK (TO-263)
В наличии	26372 pcs
Техническая спецификация	Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 STB50N65DM6

Справочная цена (В долларах США)

1000	2000
$1.809	$1.742

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 26372 STMicroelectronics STB50N65DM6 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Vgs (макс.)	±25V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	D²PAK (TO-263)
Серии	MDmesh™ DM6
Rds On (Max) @ Id, Vgs	91mOhm @ 16.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	250W (Tc)
Упаковка /	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	2300 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	52.5 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	33A (Tc)
Базовый номер продукта	STB50