Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STB160N75F3
STB160N75F3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB160N75F3

Номер детали производителя STB160N75F3
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Упаковка D2PAK
В наличии 23069 pcs
Техническая спецификация STx160N75F3D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013Box Label Chg 28/Jul/2016Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$2.298 $2.063 $1.69 $1.439
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 23069 STMicroelectronics STB160N75F3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D2PAK
Серии STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 60A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 330W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 6750 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 85 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 75 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Tc)
Базовый номер продукта STB160

Рекомендуемые продукты

STB160N75F3 DataSheet PDF

Техническая спецификация