Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STB15N80K5
STB15N80K5 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB15N80K5

Номер детали производителя STB15N80K5
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 25018 pcs
Техническая спецификация STx15N80K5D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014IPD/15/9124 20/Mar/2015
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$2.136 $1.917 $1.571 $1.337
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 25018 STMicroelectronics STB15N80K5 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии SuperMESH5™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 190W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1100 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 800 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 14A (Tc)
Базовый номер продукта STB15

Рекомендуемые продукты

STB15N80K5 DataSheet PDF

Техническая спецификация