Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STB18N55M5
STB18N55M5 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB18N55M5

Номер детали производителя STB18N55M5
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 6843 pcs
Техническая спецификация STB,D,F,P18N55M5D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014IPD/15/9345 04/Aug/2015
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 6843 STMicroelectronics STB18N55M5 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 192mOhm @ 8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 110W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1260 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 550 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 16A (Tc)
Базовый номер продукта STB18N

Рекомендуемые продукты

STB18N55M5 DataSheet PDF

Техническая спецификация